第三代半导体氮化镓GaN电源应用技术_聚泉鑫

2023-06-17 16:04      第三地半导体   氮化镓GaN电源应用技术    浏览次数:(

第一代半导体材料: 主要是指硅 (Si)、锗素 (Ge) 半导体材料


集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业。


第二代半导体材料:砷化嫁GaAs、锑化铟InSb


主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件,是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。


第三代半导体材料:氮化镓GaN、碳化硅SiC


手机快充目前应用广泛、激光雷达、射频、通信等领域。


工艺结构对比


GaN体内PN结特性,即无体二极管特性

D,S间导体通过中间电子层导通,双向可导通

耗尽型D-MODE GaN需要负压关断,目前使用的为E-MODE GaN,可以实现零电压关断

E-MODE GaN有凹槽型增强型、p型GaN栅增强型、共源共栅增强型

image.png


当前位置: 聚泉鑫 > 新闻中心 > 行业知识> 第三代半导体氮化镓GaN电源应用技术_聚泉鑫
扫二维码与项目经理沟通

我们在微信上24小时期待你的声音

解答本文疑问/技术咨询/运营咨询/技术建议/互联网交流

郑重申明:聚泉鑫以外的任何单位或个人,不得使用该案例作为工作成功展示!
Baidu
map