芯控源AGM12T05A高单元密度沟槽N沟道MOSFET

2023-08-12 09:51      芯控源AGM12T05A   高单元密度沟槽N沟道MOSFET    浏览次数:(

*100% EAS Guaranteed

* Green Device Available

* Super Low Gate Charge

* Excellent CdV/dt effect decline

* Advanced high cell density Trench technology


Description

AGM12T05A is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellentRDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications

芯控源AGM12T05A高单元密度沟槽N沟道MOSFET

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