芯控源AGM303AP低电阻封装沟槽MOSFET_聚泉鑫

2023-08-12 08:58      芯控源AGM303AP   低电阻封装沟槽MOSFET    浏览次数:(

一般说明

该AGM303AP结合了先进的低电阻封装沟槽MOSFET技术,以提供极低RDS (ON)。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。


特点

先进高电池密度沟槽技术低RDs (oN),最大限度地减少导电损耗低栅极电荷,实现快速开关低热阻


应用

兆字节/VGAVcore

SMPS第二同步整流器

PolyOne公司应用程序

无刷直流电机驱动器

芯控源AGM303AP低电阻封装沟槽MOSFET_聚泉鑫

当前位置: 聚泉鑫 > 芯片方案中心 > 其他芯片方案> 芯控源AGM303AP低电阻封装沟槽MOSFET_聚泉鑫
扫二维码与项目经理沟通

我们在微信上24小时期待你的声音

解答本文疑问/技术咨询/运营咨询/技术建议/互联网交流

郑重申明:聚泉鑫以外的任何单位或个人,不得使用该案例作为工作成功展示!
Baidu
map