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英诺赛科氮化镓pd20w快充方案充电器参考设计_聚泉鑫
由于近期苹果、三星等手机厂商接连倡导“为地球减负”的提议，宣布在用户购买手机时取消标配充电器。这一举措实实在在刺激了第三方快充充电器市场。为此，英诺赛科推出了一款氮化镓pd20W快充方案，可以同时满足苹果、三星、小米、华为、OPPO等手机用户的快充需求。
英诺赛科近期推出的这款氮化镓pd20w快充方案，是基于 英诺赛科低压InnoGaN器件INN100L12设计，并且是非常特殊地用在了次级同步整流。
英诺赛科INN100L12是一款已经量产商用的GaN同步整流管，为降低适配器次级侧同步整流驱动损耗，提高工作频率，带来了新的选择。除了低压氮化镓外，英诺赛科650V高压氮化镓FET也早就已经量产，并在众多产品中有着广泛应用，英诺赛科是为数不多的几家能够提供氮化镓器件的厂商。
英诺赛科氮化镓pd20w快充方案参考设计，初级采用两颗电解电容滤波，次级采用固态电容，680μF16V，永铭VPX系列，协议小板垂直焊接。
参考设计左侧是输出的同步整流电路，南芯SC3503同步整流控制器芯片右侧为英诺赛科 INN100L12，仅为同步整流控制器2/3面积；同时初级控制器也是来自南芯，型号SC3001B。
20W氮化镓参考设计宽约22mm，高约20mm；和苹果pd20w充电器对比，仅约为其一半体积大小，非常精巧。
这款氮化镓pd20w快充方案充电器的次级同步整流管采用英诺赛科INN100L12，100V耐压的增强型GaN开关管。氮化镓器件支持超高开关频率，超低导阻，无反向恢复损耗，快速且可控制的上升和下降时间，采用超薄和高可靠性的倒装LGA封装，同时具有开尔文采样源极，可减少寄生参数，获得更精准的控制，提高效率。LGA封装大面积的源极与漏极有助于导热，配合PCB导热设计，可做到无需辅助散热。相比传统Si MOS，均可降低驱动损耗，和反向恢复损耗，提高工作频率，提升功率密度，是传统Si MOS的理想替代品。聚泉鑫科技代理英诺赛科氮化镓器件，并且提供氮化镓快充方案，如氮化镓pd20w快充方案设计及相关技术支持。
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