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英诺赛科650V增强型氮化镓GaN场效应晶体管INN650D01
| 英诺赛科（Innoscience）650V增强型氮化镓GaN场效应晶体管INN650D01，助力PD快充高效高功率密度设计 英诺赛科（Innoscience）INN650D01主要是应用于快充等市场，实现高效高功率密度设计。 采用硅Si MOSFET技术和采用氮化镓GaN技术，在同样采用ACF电路设计的条件下数据对比如下： （一）45W PD快充对比： （1）采用硅Si MOSFET技术，45W快充：功率密度9W/in3，效率91%@90VAC输入，100%负载的情况下。 （2）采用氮化镓GaN技术，45W的快充：功率密度14W/in3，效率93%@90VAC输入，100%负载的情况下。
（二）65W PD快充对比： （1）采用硅Si MOSFET技术，65W的快充：功率密度10W/in3，效率91%@90VAC输入，100%负载的情况下。 （2）采用氮化镓GaN技术，65W的快充：功率密度20.5W/in3，效率93%@90VAC输入，100%负载的情况下。
通过以上两组数据对比，可以看出相比于传统的硅Si MOSFET技术，采用氮化镓GaN MOSFET技术具有如下优势： （1）效率提高：在效率上实现2%的提升。 （2）功率密度提高：在功率密度上45W提升5W/in3，65W更是提升了10.5W/in3。 （3）体积缩小：随着功率密度的提升，产品的体积就往更加小型化发展，45W的体积在原有基础上减小35%，65W的体积相当于减小50%也就是说体积能够减小一半左右。 |
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