氮化镓GaN INN650DA04专供20W快充30WPD快充方案

2023-06-29 10:39      氮化镓GaN INN650DA04   专供20W快充30WPD快充方案    浏览次数:(

英诺赛科650V氮化镓GaN功率器件INN650DA04是属于一款650V GaN增强型功率晶体管,其特征如下:

1增强型晶体管常闭电源开关

2超高开关频率

3无反向恢复指控

4低栅极电荷、低输出电荷

5符合JEDEC标准的工业应用

6ESD保护


英诺赛科650V氮化镓GaN功率器件INN650DA04可用于20W快充充电器方案及30WPD快充方案设计。



基于英诺赛科650V氮化镓GaN功率器件INN650DA04设计的30W PD快充方案PCBA

基于英诺赛科650V氮化镓GaN功率器件INN650DA04设计的30W PD快充方案简介:

(1)输入电压范围:90264 Vac

(2)输出电压范围:5-20 V

(3)尺寸:32*36*19

(4)功率密度:22.5 W/in3

(5)最高效率:93%

(6)方案芯片:INN650DA04GaN+SC3021(直驱GaN IC+SC3503(同步整流),HUSB339(协议)


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